在半导体制造领域，静电被视为影响芯片良率和品质的重要因素。一颗仅几十纳米的芯片，其上数以亿计的晶体管对静电放电极为敏感，哪怕是微弱的静电脉冲，都可能导致芯片永久性损坏。昆山聚泽新材料科技有限公司推出高性能抗静电母粒，正为半导体制造环境提供关键的材料级静电防护。

　　

　　半导体制造对生产环境的洁净度和静电控制有较高要求。在晶圆制造车间、封装测试车间以及物料周转环节，任何非导电材料都可能因摩擦而积累静电电荷。当静电电压累积到一定程度后突然释放，产生的瞬时电流足以击穿芯片内部的微纳米结构，造成功能失效甚至整批报废。传统的表面涂敷抗静电剂方式存在易迁移、耐久性差、受环境湿度影响大等问题，难以满足半导体制造对长效稳定防护的要求。

　　

　　聚泽新材料针对半导体行业的特殊需求，研发抗静电母粒。该产品采用高分子型抗静电剂，通过与基材树脂的分子级共混，可使制品表面电阻率稳定控制在10的6次方至10的9次方欧姆范围内，满足半导体制造环境的ESD防护标准。

　　

　　目前，聚泽新材料的抗静电母粒已在半导体制造的多个环节实现应用。在晶圆运输领域，采用该母粒制成的晶圆盒、传递盒和周转托盘，能够有效防止运输过程中因摩擦产生的静电积累，为晶圆提供全程静电安全保护。在封装测试环节，抗静电母粒被用于制造IC托盘、测试载具和分拣料盒等工装配件，降低了芯片在周转过程中的静电损伤风险。

　　

　　此外，在半导体设备的关键零部件方面，抗静电母粒也展现出独特价值。例如，用于制造设备内部的导流部件、防护罩和绝缘隔板等，既保证了电气绝缘性能，又有效控制了静电积累，避免了因静电吸附微粒而影响产品洁净度的问题。

　　聚泽新材料技术负责人表示：“随着先进制程不断推进，7纳米、5纳米乃至更先进节点的芯片对静电防护的要求将更加严格。我们将持续优化抗静电母粒的性能指标，在电阻率稳定性、洁净度控制和使用寿命方面不断突破，为中国半导体产业的自主可控发展贡献力量。”